

STD3NM60-1詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 3A IPAK
- 系列:MDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.5 歐姆 @ 1.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:324pF @ 25V
- 功率_最大:42W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB
- 供應商設備封裝:I-Pak
- 包裝:管件
STD3NM60N詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK
- 系列:Mdmesh™ II
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 歐姆 @ 1.65A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:9.5nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:188pF @ 50V
- 功率_最大:50W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:剪切帶 (CT)
STD3NM60N詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK
- 系列:Mdmesh™ II
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 歐姆 @ 1.65A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:9.5nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:188pF @ 50V
- 功率_最大:50W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
STD3NM60N詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK
- 系列:Mdmesh™ II
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 歐姆 @ 1.65A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:9.5nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:188pF @ 50V
- 功率_最大:50W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:Digi-Reel®
STD3NM60T4詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 3A DPAK
- 系列:MDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.5 歐姆 @ 1.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:324pF @ 25V
- 功率_最大:42W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:Digi-Reel®
STD3NM60T4詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 3A DPAK
- 系列:MDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.5 歐姆 @ 1.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:324pF @ 25V
- 功率_最大:42W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1206(3216 公制) RES 274 OHM 1/4W 0.1% 1206
- 接口 - 傳感器和探測器接口 STMicroelectronics 16-VQFN IC SMART SENSOR ASSP W/PGA 16QFN
- 接線座 - 接頭,插頭和插口 On Shore Technology Inc CONN PLUG HEADER 11PS 10.16MM
- FET - 單 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 550V 3A DPAK
- 嵌入式 - 微控制器, STMicroelectronics 32-UFQFN 裸露焊盤 MCU 8BIT 16K FLASH 32UFQFPN
- 固定式 Bourns Inc. 非標準 INDUCTOR POWER 180UH 1.4A SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1206(3216 公制) RES 27.4K OHM 1/4W 0.1% 1206
- 接口 - 傳感器和探測器接口 STMicroelectronics 16-VFQFN 裸露焊盤 IC SMART SENSOR II 2CH 16QFN
- 接線座 - 接頭,插頭和插口 On Shore Technology Inc CONN PLUG HEADER 12PS 10.16MM
- 固定式 Bourns Inc. 非標準 INDUCTOR 2.2UH 8.2A SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1206(3216 公制) RES 287 OHM 1/4W 0.1% 1206
- 接線座 - 接頭,插頭和插口 On Shore Technology Inc CONN PLUG HEADER 17PS 10.16MM
- 嵌入式 - 微控制器, STMicroelectronics 48-LQFP MCU 8BIT 64K FLASH 48LQFP
- FET - 單 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
- 二極管,整流器 - 陣列 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 DIODE ULTRA FAST REC DPAK